国内首条2822nm ReRAM 12寸芯片生产线来了

除了NAND闪存和DRAM存储器，内存芯片还有多种工艺选择，ReRAM(非易失性阻变存储器)就是其中之一，其写入寿命可以达到100万次。以前主要是难产。现在杭州鑫源半导体牵头建设了国内第一条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线。

据杭州日报消息，由鑫源半导体牵头的国内首条28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线顺利完成自研设备安装验收，实现中试线工艺流程，并成功流片(试生产)。

传统CMOS代工厂或因资源限制，迭代速度慢，影响工艺开发进度。虽然国内科研院所在实验室阶段可以加快迭代速度，但是没有标准的12寸量产线，实验结果往往很难量产。

原有的自建28/22nm ReRAM 12英寸中试生产线解决了上述问题。利用代工厂和实验室的优势，迭代速度快，生产线灵活，知识产权自主可控，使得ReRAM相关产品的快速实现成为可能。

“作为mainland China第一条28/22nm ReRAM12英寸中试生产线，我们生产线的顺利进行以及产品验证和量产的完成，将极大推动中国新型存储产业的发展。”

袁昕半导体相关负责人表示，“在该领域，目前国内外差距较小，尚未形成壁垒，这为中国存储器产业弯道超车提供了可能。”

由于芯片短缺，丰田高冈工厂第一条生产线nm中威公司确认蚀刻机进入国际客户最先进的生产线。

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文章来源：laughing168

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